مرحبًا بكم في شركة تشونغتشينغ شينهونغتو لتقنية المعلومات المحدودة
مجموعة مكبر الصوت المسبق لكاشف الضوء APD
النموذج:
التصنيف:
الكلمات المفتاحية: دينامو، سلسلة مضخات المياه
هاتف:
البريد الإلكتروني:
مقدمة المنتج
الخصائص
المنطقة النشطة: Φ0.8/4مم
نطاق الاستجابة الطيفية: 400 نانومتر ~ 1100 نانومتر
استجابة عالية: ≥1.0×10⁵ فولت/واط
جهاز استشعار درجة الحرارة المتكامل
مقاومة خلفية مشرقة، مقاومة التداخل الكهرومغناطيسي
التطبيقات
التحديد بالليزر
الكشف الكهروضوئي الآخر
الاستجابة الطيفية (M=100؛ 23℃)
القيم القصوى المطلقة
| نموذج المنتج | جهد إمداد الطاقة الموجب (فولت) | جهد إمداد الطاقة السلبي (فولت) | جهد التحيز (فولت) | درجة حرارة التشغيل (℃) | درجة حرارة التخزين (℃) |
| Φ0.8 | +6 | -6 | 200 إلى 350 | -40 إلى +70 | -50 إلى +100 |
| Φ4 | +15/+5.5 | -15/-5.5 | -200 إلى -350 | -40 إلى +60 | -50 إلى +85 |
المواصفات الفنية@ 23℃
Φ0.8 المؤشرات الفنية (EVM2101-2)
| حجم الرقاقة (مم) | الاستجابة R إي (ف/و) | زمن الارتفاع T ر (ن س) | وقت السقوط T ف (ن س) | أقصى إخراج U ماكس (ف) | الضوضاء المظلمة RMS V نرمس (ملي فولت) | عرض نبضة الإخراج τn (نانوثانية) | الدايود الحساس لدرجة الحرارة، جهد درجة حرارة الغرفة (مليفولت) | قطبية النبضة | معامل درجة حرارة الصمام الثنائي الحساس للحرارة (مليفولت/درجة مئوية) |
| Φ0.8 | ≥1.4×10 5 | ≤10 | ≤10 | 1.5 | ≤1.0 | 20 | 750 | إيجابي | -1.8 |
| ملاحظة: شروط الاختبار للعناصر في الجدول: λ=1064 نانومتر، τ=20 نانوثانية، f=10 كيلوهرتز، Vcc=±5 فولت | |||||||||
مؤشرات تقنية Φ4 (ETMB404-2)
| حجم الرقاقة (مم) | الاستجابة R إي (ف/و) | التحكم C1 متعدد | التحكم المتعدد C2 | قيمة الذروة إلى الذروة للضوضاء المظلمة V np-p (ملي فولت) | عرض نبضة الإخراج τn (نانوثانية) | نطاق قياس درجة الحرارة (℃) | عامل مستشعر درجة الحرارة (ملي فولت/℃) | مستشعر درجة الحرارة، جهد الغرفة (ملي فولت) | قطبية النبضة |
| Φ4 | ≥3.0×10 5 | 15 ± 3 | 15 ± 3 | ≤15 | 300 إلى 800 | -40 إلى 60 | 10 ± 2 | 750 ± 20 | سلبي |
| ملاحظة: شروط الاختبار للعناصر في الجدول: λ=1064 نانومتر، τ=20 نانوثانية، f=10 كيلوهرتز، Vcc=±12 فولت | |||||||||
الأبعاد الإجمالية، ترتيب الدبابيس والتعريفات
Φ0.8 (TO-8) الأبعاد الإجمالية وترتيب الأطراف
الدبوس 1: إشارة خرج (V خارج )
دبوس 2: عائم (مغلق طبيعياً)
الدبوس 3: جهد الطاقة السلبي للمضخم المسبق (فولت) إس إس )
الدبوس 4: جهد التحيز (V ر )
الدبوس 5: عائم (مغلق بشكل طبيعي)
الدبوس 6: الحالة
الدبوس 7: الأرض (GND)
Pin8: مصعد ثنائي حساس لدرجة الحرارة (A)
الدبوس 9: كاثود ثنائي حساس لدرجة الحرارة (C)
الدبوس 10: الأرض (GND)
الدبوس 11: عائم (مغلق بشكل طبيعي)
الدبوس 12: جهد الطاقة الموجب للمضخم الأولي (Vcc)
Φ4 (TO-25) الأبعاد الإجمالية وترتيب الأطراف
الدبوس 1: جهد التحيز (V APD )
Pin2: إخراج الربع الثالث (V خارج 3)
الدبوس 3: عائم (مغلق بشكل طبيعي)
الدبوس 4: تحكم في كسب المضخم الأولي (C2)
الدبوس 5: إخراج الربع الثاني (V خارج 2)
الدبوس 6: جهد الطاقة السلبي للمضخم المسبق (فولت) إس إس )
الدبوس 7: الأرض (GND)
الدبوس 8: جهد الطاقة الموجب للمضخم الأولي (فولت) CC )
الدبوس 9: إخراج الربع الأول (ف خارج 1)
الدبوس 10: إخراج مستشعر درجة الحرارة (T س )
الدبوس 11: التحكم في كسب العينة (C1)
الدبوس 12: إخراج الربع الرابع (ف خارج 4)
الدبوس 13: عائم (غير متصل)
توصيات التطبيق
يرجى الانتباه إلى الحماية من الكهرباء الساكنة لتجنب إتلاف الجهاز
لا تتجاوز القيم المحددة القصوى لجميع المعلمات أثناء الاستخدام
عند تركيب وتلحيم دبابيس هذا المنتج، اتبع بدقة تعريفات دبابيس المنتج للتجميع، ودرجة حرارة اللحام TH (10 ثوانٍ): 300℃
المنتجات
اتصل بنا
البريد الإلكتروني:
goubotong88@xinghongtu.com
الهاتف/ويشات:
+86 15826122885
العنوان:
رقم 601، مبنى SOHO، 28-2 شارع شييونغ، حي شييونغ الفرعي، منطقة التكنولوجيا العالية، تشونغتشينغ
منتجات أخرى
اترك رسالة عبر الإنترنت
يرجى ترك معلوماتك حتى نتمكن من التواصل معك بشكل أسرع وأفضل!
اتصل بنا
نحن ملتزمون بتقديم خدمة عالية الجودة لعملائنا، من استشارات المنتج إلى دعم ما بعد البيع، لضمان رضا العملاء.
العنوان: رقم 601، مبنى SOHO، 28-2 شارع شييونغ، حي شييونغ المنطقة الفرعية، المنطقة عالية التقنية، تشونغتشينغ
واتساب
